生产碳化硅需要什么设备

碳化硅 ~ 制备难点

概述碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致，主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以及封装测试四个环节：衬底：高纯度的碳粉和硅粉 1:1 混合制成碳化硅粉，通过单晶生长成为碳化硅晶有时为获取高纯度的碳化硅，则可以用气相沉积的方法，即用四氯化硅与苯和氢的混合蒸气，通过炽热的石墨棒时，发生气相反应，生成的碳化硅就沉积在石墨表碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

我想了解一下碳化硅的生产工艺？

现在不是有了碳化硅（SiC）等第三代半导体器件吗？但是，虽然SiC器件的特性比硅好了很多，但是应用中仍有许多新的问题要解决。应用SiC 10年的体会在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？

中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总

中国碳化硅产业链全景图碳化硅材料是制作高频、温抗辐射及大功率器件的优异材料。和Si、GaAs等、二代半导体材料相比，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）拥有击穿电压高、宽禁带、导热率高、电子碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高技术|碳化硅产业链条核心：外延技术

碳化硅材料零部件广泛应用于外延生长、氧化/扩散/退火等设备

根据 SEMI 国际半导体产业协会数据，晶圆厂建设推动半导体设备总销售额连续两年突破1000亿美元大关，2022年全球半导体设备总销售额约1085亿美元，创下半导体制造之设备篇半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50 次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比

工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程

目前全球95%以上的半导体元件，都是以代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化未来智库，智造未来！ 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈在高性能和低能碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分这两种碳化硅晶圆生产方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。碳化硅有什么用途？碳化硅的优点从历史上看，制造商在高温环境下使用碳化硅来制造轴承、加热机械部件、汽车制动器，甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？

碳化硅 ~ 制备难点

以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输法（PVT）为例，碳化硅晶棒需要在 2500℃高温下进行生产，而硅晶只需1500℃，因此需要特殊的单晶炉，且在生产中需要精确调控生长温 3刻蚀设备有望率先完成国产替代国内设备最成熟领域，国产替代率较高存储国产化带动刻蚀机替代率继续提升大基金助力半导体刻蚀设备企业持续发力 4刻蚀设备领域代表企业中微公司：国产替代先锋，先进制程快速突破北方华创：产品线广泛的半导体一文看懂半导体刻蚀设备

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代|碳化硅新浪财经新浪网

因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场半导体制造离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。详解】华为认为中高压SiC器件成熟在即相关仪器设备需求

碳化硅产品的应用方向和生产过程

2、衬底长晶完成后，就进入衬底生产环节。经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。碳化硅

国内第三代半导体厂商（碳化硅）

泰科天润已建成国内条碳化硅器件生产线，SBD产品覆盖600V3300V的电压范围。芯光润泽 2012年，芯光润泽通过引进海内外顶尖行业专家，组建碳化硅芯片科研技术团队，并在第三代半导体方面与原创】造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？来源：中国粉体网山川 26553 人阅读标签碳化硅产业链先进陶瓷加工过程非常缓慢，外延生长所需温度极高且工艺窗口很小，芯片制程工艺也需要高温高能设备制备等。碳化硅器件生产造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？要闻资讯中国粉体网

造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？中国纳米行业门户

由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。在图形化、刻蚀、化三、高纯SiC粉体合成工艺展望改进的自蔓延法合成SiC，原料较为低廉，工序相对简单，是目前实验室用于生长单晶合成SiC粉体常用的方法，且合成过程中发现，不同的合成工艺参数对合成产物有一定影响。今后需要在以下方面加强研究： 1对高纯SiC粉体合成高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学

大家对碳化硅器件的前景如何看？

简单来说，作为第三代半导体中的代表材料，碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，基于碳化硅的解决方案可使系统效率更高、重量更轻，且结构更紧凑。车载器件是碳化硅功率器件最重要的应用领域之一。市场调查公司Yole的数据碳化硅概念龙头股以市值来看，碳化硅概念的市值最高的上市公司为三安光电，其次是晶盛机电和时代电气。碳化硅概念龙头股可关注：晶盛机电、天岳先进、露笑科技、三安光电、东尼电子、天通股份、凤凰光学、华润微、天富能源等。三安光电A股的碳化硅龙头是哪家?

碳化硅器件目前有什么生产难点？？

碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。 Home 资讯粉体展人才资料会展原创】造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？来源：中国粉体网山川 28464 人阅读标签碳化硅产业链先进陶瓷造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？要闻资讯中国粉体网

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线需要重视哪些信号交易提示操盘必读

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